IRFZ24NS-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
IRFZ24NS-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N场效应管， 采用Trench工艺制造。 具有高效、稳定和可靠的特性， 适用于多种领域的功率电子应用， 可满足不同应用场景的需求。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 50A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=10V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
9
货期
现货
IRFZ24NS-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:50A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V； 35mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
| 商品型号 | IRFZ24NS-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0028 |
IRFZ24NS-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N场效应管， 采用Trench工艺制造。 具有高效、稳定和可靠的特性， 适用于多种领域的功率电子应用， 可满足不同应用场景的需求。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 50A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=10V； Vth=1~3V
IRFZ24NS-VB特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 快速开关
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
IRFZ24NS-VB应用领域
暂无应用领域。