IRFU5305PBF
IC
IPAK
可供量大可议
IRFU5305PBF
第五代HEXFET采用先进的处理技术, 在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。 这种优势, 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可用于各种应用。 D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRPO系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。
品牌
Infineon
封装
IPAK
库存
282
货期
现货
IRFU5305PBF参数
| 封装 | IPAK |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 282 |
IRFU5305PBF概述
第五代HEXFET采用先进的处理技术, 在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。 这种优势, 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可用于各种应用。 D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRPO系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。
IRFU5305PBF特性
暂无产品特性。
IRFU5305PBF应用领域
暂无应用领域。
