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IRFU4105ZPBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRFU4105ZPBF-HXY

IRFU4105ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用通用型TO-252-2L封装, 适用于各类电源管理和功率转换应用。 其关键参数包括最大漏源电压(VDSS)高达60V, 能够稳定承载50A的漏极电流(ID), 尤其引人注目的是其低至15mΩ的导通电阻(RD(on)), 大大提升了系统工作效率并降低了能量损耗。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-252-2L

Stock

50

货期

现货

IRFU4105ZPBF-HXYParameters

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存50

IRFU4105ZPBF-HXY概述

IRFU4105ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用通用型TO-252-2L封装, 适用于各类电源管理和功率转换应用。 其关键参数包括最大漏源电压(VDSS)高达60V, 能够稳定承载50A的漏极电流(ID), 尤其引人注目的是其低至15mΩ的导通电阻(RD(on)), 大大提升了系统工作效率并降低了能量损耗。

IRFU4105ZPBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRFU4105ZPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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