IRFU024NPBF-VB
IC
TO-251
可供量大可议
IRFU024NPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 具有较大的电压容忍度， 可提供良好的电路灵活性。 适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。 TO251； N—Channel沟道, 60V； 35A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~3.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
80
货期
现货
IRFU024NPBF-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V； 46nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:25A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V； 37mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 281pF |
| 商品型号 | IRFU024NPBF-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000799 |
IRFU024NPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 具有较大的电压容忍度， 可提供良好的电路灵活性。 适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。 TO251； N—Channel沟道, 60V； 35A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~3.5V
IRFU024NPBF-VB特性
- 根据IEC 61249
- 2
- 21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
IRFU024NPBF-VB应用领域
- 电源-次级同步整流-DC/DC转换器