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IRFR9310TRLPBF
IC

DPAK

可供量大可议

IRFR9310TRLPBF

1个P沟道 耐压:400V 电流:1.8A

品牌

VISHAY

封装

DPAK

库存

52

货期

现货

IRFR9310TRLPBF参数

封装DPAK
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)400V
耗散功率(Pd)50W
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
反向传输电容(Crss)8pF
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号IRFR9310TRLPBF
单位个
商品重量0.000517
分类场效应管(MOSFET)
库存52
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))7Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)270pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)50pF
商品名称1个P沟道 耐压:400V 电流:1.8A
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

IRFR9310TRLPBF概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术, 以实现单位硅面积的低导通电阻。 这一优势, 再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件, 可广泛应用于各种领域。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。 直引脚版本(IRFU/SiHFU系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5 W。

IRFR9310TRLPBF特性

  • P沟道-表面贴装(IRFR9310、SiHFR9310)-直引脚(IRFU9310、SiHFU9310)-先进的工艺技术-快速开关-完全雪崩额定

IRFR9310TRLPBF应用领域

暂无应用领域。

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