IRFR8314PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR8314PBF-HXY
IRFR8314PbF N沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装， 专为高性能电源管理和电机驱动应用设计。 器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行， 并能处理高达150A的连续漏极电流(ID)， 展现出强大的电流处理能力。 其关键特性在于极低的导通电阻RD(on)仅为2mΩ， 这将大幅度降低系统内部损耗， 提升整体效率， 成为开关电源、逆变器、充电设备等领域的理想半导体元件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
35
货期
现货
IRFR8314PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
IRFR8314PBF-HXY概述
IRFR8314PbF N沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装， 专为高性能电源管理和电机驱动应用设计。 器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行， 并能处理高达150A的连续漏极电流(ID)， 展现出强大的电流处理能力。 其关键特性在于极低的导通电阻RD(on)仅为2mΩ， 这将大幅度降低系统内部损耗， 提升整体效率， 成为开关电源、逆变器、充电设备等领域的理想半导体元件选择。
IRFR8314PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR8314PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。