IRFR5505TR(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
IRFR5505TR(UMW)
特性：使用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 VGS(V) = -60V。 ID = -10A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 110mΩ (VGS = -10V)
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
1,335
货期
现货
IRFR5505TR(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1335 |
IRFR5505TR(UMW)概述
特性：使用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 VGS(V) = -60V。 ID = -10A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 110mΩ (VGS = -10V)
IRFR5505TR(UMW)特性
暂无产品特性。
IRFR5505TR(UMW)应用领域
暂无应用领域。