IRFR5505PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR5505PBF-HXY
型号IRFR5505PbF 的P沟道MOS管采用TO-252-2L封装， 具备高效散热性能。 该器件工作电压VDSS高达60V， 连续电流ID可承载15A， 满足大电流应用需求。 其导通电阻RD(on)仅为70mR， 有效减少功率损耗， 提高能源利用效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域， 是设计高功率、低损耗电路的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
1,720
货期
现货
IRFR5505PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1720 |
IRFR5505PBF-HXY概述
型号IRFR5505PbF 的P沟道MOS管采用TO-252-2L封装， 具备高效散热性能。 该器件工作电压VDSS高达60V， 连续电流ID可承载15A， 满足大电流应用需求。 其导通电阻RD(on)仅为70mR， 有效减少功率损耗， 提高能源利用效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域， 是设计高功率、低损耗电路的理想选择。
IRFR5505PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR5505PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。