IRFR5410TRRPBF
IC
DPAK(TO-252AA)
可供量大可议
IRFR5410TRRPBF
第五代HEXFET采用先进的加工技术, 每单位硅面积可实现极低的导通电阻。 这一优势, 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可用于各种应用。 D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直插引脚版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。
品牌
Infineon
封装
DPAK(TO-252AA)
库存
2
货期
现货
IRFR5410TRRPBF参数
| 封装 | DPAK(TO-252AA) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IRFR5410TRRPBF概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术, 每单位硅面积可实现极低的导通电阻。 这一优势, 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可用于各种应用。 D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直插引脚版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。
IRFR5410TRRPBF特性
暂无产品特性。
IRFR5410TRRPBF应用领域
暂无应用领域。
