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IRFR5410TRRPBF
IC

DPAK(TO-252AA)

可供量大可议

IRFR5410TRRPBF

第五代HEXFET采用先进的加工技术, 每单位硅面积可实现极低的导通电阻。 这一优势, 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可用于各种应用。 D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直插引脚版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。

品牌

Infineon

封装

DPAK(TO-252AA)

库存

2

货期

现货

IRFR5410TRRPBF参数

封装DPAK(TO-252AA)
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

IRFR5410TRRPBF概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术, 每单位硅面积可实现极低的导通电阻。 这一优势, 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可用于各种应用。 D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直插引脚版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5瓦。

IRFR5410TRRPBF特性

暂无产品特性。

IRFR5410TRRPBF应用领域

暂无应用领域。

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