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IRFR5410PBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRFR5410PBF-HXY

这款P沟道场效应管专为高侧开关应用设计, 在100V的漏源耐压下, 可承载15A的连续负载电流。 其导通电阻为140mΩ, 配合±20V的栅极耐压范围, 既保证了功率传输效率, 也为驱动电路提供了宽裕的设计空间。 该器件常用于电源输入端, 通过简单的逻辑电平即可控制主回路的通断, 有效简化了电路设计。 在电池供电系统中, 它能作为防反接保护元件, 防止因电源接反而损坏后级电路。 此外, 它也适用于DC-DC转换器中的高侧整流, 或作为电子负载开关, 实现对不同功能模块的独立供电管理。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

469

货期

现货

IRFR5410PBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存469

IRFR5410PBF-HXY概述

这款P沟道场效应管专为高侧开关应用设计, 在100V的漏源耐压下, 可承载15A的连续负载电流。 其导通电阻为140mΩ, 配合±20V的栅极耐压范围, 既保证了功率传输效率, 也为驱动电路提供了宽裕的设计空间。 该器件常用于电源输入端, 通过简单的逻辑电平即可控制主回路的通断, 有效简化了电路设计。 在电池供电系统中, 它能作为防反接保护元件, 防止因电源接反而损坏后级电路。 此外, 它也适用于DC-DC转换器中的高侧整流, 或作为电子负载开关, 实现对不同功能模块的独立供电管理。

IRFR5410PBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRFR5410PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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