IRFR430BTF-HXY

该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V， 连续漏极电流（ID）为5A， 导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。 器件在高电压条件下仍能维持稳定工作， 适用于对耐压能力有明确要求的电子开关电路。 其N沟道结构便于与常用驱动逻辑配合， 在电源管理、电机控制及各类中低功率电子设备中可实现可靠的通断控制。 参数特性使其在兼顾效率与安全性的应用场景中具备实用价值。