IRFR420BT-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IRFR420BT-VB
特性：低栅极电荷Qg， 驱动要求简单。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 完全表征了电容、雪崩电压和电流。 符合RoHS指令2002/95/EC
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
2
货期
现货
IRFR420BT-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IRFR420BT-VB概述
特性：低栅极电荷Qg， 驱动要求简单。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 完全表征了电容、雪崩电压和电流。 符合RoHS指令2002/95/EC
IRFR420BT-VB特性
暂无产品特性。
IRFR420BT-VB应用领域
暂无应用领域。