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IRFR4105PBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRFR4105PBF-HXY

IRFR4105PbF 的N沟道MOS管, 采用TO-252-2L封装, 适合于广泛的电源管理和电机驱动应用。 该器件具备60V的额定电压VDSS和20A的连续电流ID处理能力, 保证在高电压条件下稳定运行。 其导通电阻RD(on)仅为27mΩ, 有助于提升整体系统能效, 减少功率损耗。 这款MOS管凭借卓越的性能表现, 被广泛应用于电源转换、逆变器、电动工具中, 是高效能电子设计的理想组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

55

货期

现货

IRFR4105PBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存55

IRFR4105PBF-HXY概述

IRFR4105PbF 的N沟道MOS管, 采用TO-252-2L封装, 适合于广泛的电源管理和电机驱动应用。 该器件具备60V的额定电压VDSS和20A的连续电流ID处理能力, 保证在高电压条件下稳定运行。 其导通电阻RD(on)仅为27mΩ, 有助于提升整体系统能效, 减少功率损耗。 这款MOS管凭借卓越的性能表现, 被广泛应用于电源转换、逆变器、电动工具中, 是高效能电子设计的理想组件。

IRFR4105PBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRFR4105PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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