IRFR4105PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR4105PBF-HXY
IRFR4105PbF 的N沟道MOS管, 采用TO-252-2L封装, 适合于广泛的电源管理和电机驱动应用。 该器件具备60V的额定电压VDSS和20A的连续电流ID处理能力, 保证在高电压条件下稳定运行。 其导通电阻RD(on)仅为27mΩ, 有助于提升整体系统能效, 减少功率损耗。 这款MOS管凭借卓越的性能表现, 被广泛应用于电源转换、逆变器、电动工具中, 是高效能电子设计的理想组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
55
货期
现货
IRFR4105PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
IRFR4105PBF-HXY概述
IRFR4105PbF 的N沟道MOS管, 采用TO-252-2L封装, 适合于广泛的电源管理和电机驱动应用。 该器件具备60V的额定电压VDSS和20A的连续电流ID处理能力, 保证在高电压条件下稳定运行。 其导通电阻RD(on)仅为27mΩ, 有助于提升整体系统能效, 减少功率损耗。 这款MOS管凭借卓越的性能表现, 被广泛应用于电源转换、逆变器、电动工具中, 是高效能电子设计的理想组件。
IRFR4105PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR4105PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
