IRFR3911TRPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR3911TRPBF-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为15A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为100毫欧。 器件适用于中等功率的直流电机驱动、电池组保护及电源转换电路。 在负载开关与稳压模块中, 其电气特性可支持稳定的电流传输与电压控制, 满足消费电子及便携设备对功率管理环节的性能要求, 确保系统在额定工况下可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IRFR3911TRPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IRFR3911TRPBF-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为15A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为100毫欧。 器件适用于中等功率的直流电机驱动、电池组保护及电源转换电路。 在负载开关与稳压模块中, 其电气特性可支持稳定的电流传输与电压控制, 满足消费电子及便携设备对功率管理环节的性能要求, 确保系统在额定工况下可靠运行。
IRFR3911TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR3911TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
