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IRFR3911TRPBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRFR3911TRPBF-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为15A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为100毫欧。 器件适用于中等功率的直流电机驱动、电池组保护及电源转换电路。 在负载开关与稳压模块中, 其电气特性可支持稳定的电流传输与电压控制, 满足消费电子及便携设备对功率管理环节的性能要求, 确保系统在额定工况下可靠运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

IRFR3911TRPBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IRFR3911TRPBF-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为15A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为100毫欧。 器件适用于中等功率的直流电机驱动、电池组保护及电源转换电路。 在负载开关与稳压模块中, 其电气特性可支持稳定的电流传输与电压控制, 满足消费电子及便携设备对功率管理环节的性能要求, 确保系统在额定工况下可靠运行。

IRFR3911TRPBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRFR3911TRPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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