IRFR3911TRLPBF-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源极耐压（VDSS）与15A连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为100毫欧。 此参数组合在百元级电压应用中提供了可靠的电流承载能力与适中的导通损耗。 器件适用于各类中等功率开关电源、电池保护电路及通用电子负载开关设计。 其电气特性能够满足消费类电子产品及办公设备中对功率转换效率与热稳定性的基础要求， 是构建紧凑型电源模块的理想选择。