IRFR3910TRR-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流为15安培， 漏源击穿电压达100伏， 导通电阻典型值为100毫欧。 器件凭借低导通损耗特性， 适用于中高功率直流电机驱动、电池管理系统及开关电源转换电路。 在负载开关与同步整流应用中， 其参数组合有助于提升系统能效并简化散热设计， 满足各类电子设备对功率控制组件的性能需求。