IRFR3806PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR3806PBF-HXY
这款IRFR3806PbF N沟道MOS管采用先进的工艺技术制造， 封装为TO-252-2L， 适合高密度安装。 其卓越性能表现在耐压高达60V， 持续电流能力高达50A， 且在正常工作状态下导通电阻仅为15mΩ， 有效降低功耗与发热， 确保设备高效稳定运行， 适用于各类中高端电源转换和电机驱动应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
2
货期
现货
IRFR3806PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IRFR3806PBF-HXY概述
这款IRFR3806PbF N沟道MOS管采用先进的工艺技术制造， 封装为TO-252-2L， 适合高密度安装。 其卓越性能表现在耐压高达60V， 持续电流能力高达50A， 且在正常工作状态下导通电阻仅为15mΩ， 有效降低功耗与发热， 确保设备高效稳定运行， 适用于各类中高端电源转换和电机驱动应用。
IRFR3806PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR3806PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。