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IRFR3711ZPBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRFR3711ZPBF-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻低至5毫欧, 栅源驱动电压12V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足对功率密度和热管理有严格要求的电子设备需求, 确保系统在高频开关状态下稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

28

货期

现货

IRFR3711ZPBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存28

IRFR3711ZPBF-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻低至5毫欧, 栅源驱动电压12V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足对功率密度和热管理有严格要求的电子设备需求, 确保系统在高频开关状态下稳定运行。

IRFR3711ZPBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRFR3711ZPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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