IRFR3711ZPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR3711ZPBF-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻低至5毫欧, 栅源驱动电压12V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足对功率密度和热管理有严格要求的电子设备需求, 确保系统在高频开关状态下稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
28
货期
现货
IRFR3711ZPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 28 |
IRFR3711ZPBF-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻低至5毫欧, 栅源驱动电压12V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足对功率密度和热管理有严格要求的电子设备需求, 确保系统在高频开关状态下稳定运行。
IRFR3711ZPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR3711ZPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
