IRFR3504ZTRPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR3504ZTRPBF-HXY
该N沟道场效应管具备40V漏源击穿电压， 连续漏极电流达60A， 导通电阻仅为7.7毫欧。 低导通损耗特性使其在大电流开关场景中表现优异， 适用于服务器电源模块、高性能电池管理系统及大功率直流转换设备。 其参数设计聚焦于提升能效与热管理表现， 满足高频率开关操作下的稳定性需求， 为精密电子负载提供可靠的功率控制解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
38
货期
现货
IRFR3504ZTRPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
IRFR3504ZTRPBF-HXY概述
该N沟道场效应管具备40V漏源击穿电压， 连续漏极电流达60A， 导通电阻仅为7.7毫欧。 低导通损耗特性使其在大电流开关场景中表现优异， 适用于服务器电源模块、高性能电池管理系统及大功率直流转换设备。 其参数设计聚焦于提升能效与热管理表现， 满足高频率开关操作下的稳定性需求， 为精密电子负载提供可靠的功率控制解决方案。
IRFR3504ZTRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR3504ZTRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。