IRFR3411TRPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR3411TRPBF-HXY
此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装， 专为高电流应用设计。 额定电压100V， 可承载高达30A连续电流， 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统， 具备低导通电阻和卓越散热性能， 是构建高效能电子设备的理想功率半导体器件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
317
货期
现货
IRFR3411TRPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 317 |
IRFR3411TRPBF-HXY概述
此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装， 专为高电流应用设计。 额定电压100V， 可承载高达30A连续电流， 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统， 具备低导通电阻和卓越散热性能， 是构建高效能电子设备的理想功率半导体器件选择。
IRFR3411TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR3411TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。