IRFR3410TRRPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR3410TRRPBF-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为30A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻37毫欧, 栅源电压耐受值20V。 器件凭借明确的电气规格, 适用于各类电源转换拓扑、电机驱动级及电池管理系统的功率开关环节。 在高频切换应用中, 其参数组合有助于平衡导通损耗与驱动需求, 确保电路在既定电压电流范围内稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
25
货期
现货
IRFR3410TRRPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
IRFR3410TRRPBF-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为30A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻37毫欧, 栅源电压耐受值20V。 器件凭借明确的电气规格, 适用于各类电源转换拓扑、电机驱动级及电池管理系统的功率开关环节。 在高频切换应用中, 其参数组合有助于平衡导通损耗与驱动需求, 确保电路在既定电压电流范围内稳定运行。
IRFR3410TRRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR3410TRRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
