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IRFR3410TRRPBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRFR3410TRRPBF-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为30A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻37毫欧, 栅源电压耐受值20V。 器件凭借明确的电气规格, 适用于各类电源转换拓扑、电机驱动级及电池管理系统的功率开关环节。 在高频切换应用中, 其参数组合有助于平衡导通损耗与驱动需求, 确保电路在既定电压电流范围内稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

25

货期

现货

IRFR3410TRRPBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存25

IRFR3410TRRPBF-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为30A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻37毫欧, 栅源电压耐受值20V。 器件凭借明确的电气规格, 适用于各类电源转换拓扑、电机驱动级及电池管理系统的功率开关环节。 在高频切换应用中, 其参数组合有助于平衡导通损耗与驱动需求, 确保电路在既定电压电流范围内稳定运行。

IRFR3410TRRPBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRFR3410TRRPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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