IRFR3410TRPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR3410TRPBF-HXY
这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装， 专为中高电压、大电流应用设计。 额定击穿电压100V， 连续电流承载能力高达30A， 特别适用于电源转换器、电机驱动及负载开关场合， 提供卓越的导通性能与能效表现， 是构建高性能电子系统的理想功率半导体器件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
25
货期
现货
IRFR3410TRPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
IRFR3410TRPBF-HXY概述
这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装， 专为中高电压、大电流应用设计。 额定击穿电压100V， 连续电流承载能力高达30A， 特别适用于电源转换器、电机驱动及负载开关场合， 提供卓越的导通性能与能效表现， 是构建高性能电子系统的理想功率半导体器件选择。
IRFR3410TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR3410TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。