IRFR3410TRLPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR3410TRLPBF-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为35mΩ， 能够在高功率密度环境下实现较低的能量损耗。 器件基于成熟工艺设计， 具备良好的热稳定性与开关性能， 适用于电源转换、储能系统、高频开关电路及多种电子设备中的功率控制场合， 为电路设计提供高效且可靠的核心支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
186
货期
现货
IRFR3410TRLPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 186 |
IRFR3410TRLPBF-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为35mΩ， 能够在高功率密度环境下实现较低的能量损耗。 器件基于成熟工艺设计， 具备良好的热稳定性与开关性能， 适用于电源转换、储能系统、高频开关电路及多种电子设备中的功率控制场合， 为电路设计提供高效且可靠的核心支持。
IRFR3410TRLPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR3410TRLPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。