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IRFR3410PBF-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRFR3410PBF-HXY

IRFR3410PbF 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高功率、大电流应用设计。 它具备100V的高击穿电压和高达30A的连续电流处理能力, 确保在严苛条件下的稳定运行。 该器件导通电阻仅为35mΩ, 有效降低功率损耗, 提升系统能效, 广泛应用于电源转换器、电机驱动、逆变器等强电流控制领域, 是实现高效、可靠电子设计的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

143

货期

现货

IRFR3410PBF-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存143

IRFR3410PBF-HXY概述

IRFR3410PbF 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高功率、大电流应用设计。 它具备100V的高击穿电压和高达30A的连续电流处理能力, 确保在严苛条件下的稳定运行。 该器件导通电阻仅为35mΩ, 有效降低功率损耗, 提升系统能效, 广泛应用于电源转换器、电机驱动、逆变器等强电流控制领域, 是实现高效、可靠电子设计的理想选择。

IRFR3410PBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRFR3410PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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