IRFR3410PBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR3410PBF-HXY
IRFR3410PbF 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高功率、大电流应用设计。 它具备100V的高击穿电压和高达30A的连续电流处理能力, 确保在严苛条件下的稳定运行。 该器件导通电阻仅为35mΩ, 有效降低功率损耗, 提升系统能效, 广泛应用于电源转换器、电机驱动、逆变器等强电流控制领域, 是实现高效、可靠电子设计的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
143
货期
现货
IRFR3410PBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 143 |
IRFR3410PBF-HXY概述
IRFR3410PbF 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为高功率、大电流应用设计。 它具备100V的高击穿电压和高达30A的连续电流处理能力, 确保在严苛条件下的稳定运行。 该器件导通电阻仅为35mΩ, 有效降低功率损耗, 提升系统能效, 广泛应用于电源转换器、电机驱动、逆变器等强电流控制领域, 是实现高效、可靠电子设计的理想选择。
IRFR3410PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR3410PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
