IRFR2905ZTRPBF-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）仅为11mΩ， 支持高效功率传输与低发热运行。 器件基于成熟半导体工艺设计， 具备优良的热稳定性和耐用性， 适用于多种电源管理场合， 如开关电源、DC-DC转换模块、电池保护电路及高精度负载控制等， 满足高频工作与紧凑布局的设计要求。