IRFR2307ZTRLPBF

该HEXFET功率MOSFET采用最新处理技术， 实现了极低的每硅面积导通电阻。 该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。 这些特性结合在一起， 使该设计成为一种极其高效且可靠的器件， 可用于各种应用。