IRFR13N20DTRPBF-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IRFR13N20DTRPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型场效应管， 采用Trench技术， 适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 200V； 30A； RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
IRFR13N20DTRPBF-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:200V 电流:30A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
| 商品型号 | IRFR13N20DTRPBF-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004 |
IRFR13N20DTRPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型场效应管， 采用Trench技术， 适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 200V； 30A； RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
IRFR13N20DTRPBF-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- PWM优化
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
IRFR13N20DTRPBF-VB应用领域
- 初级侧开关