IRFR130ATM-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR130ATM-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为15A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻典型值为100mΩ。 器件在中等电压下具备优良的电流承载能力与低导通损耗特性, 适用于各类开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数组合有助于降低功率转换环节的发热量, 提升系统整体能效, 满足消费电子、通信设备及便携式仪器对功率开关元件的性能需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IRFR130ATM-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IRFR130ATM-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为15A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻典型值为100mΩ。 器件在中等电压下具备优良的电流承载能力与低导通损耗特性, 适用于各类开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数组合有助于降低功率转换环节的发热量, 提升系统整体能效, 满足消费电子、通信设备及便携式仪器对功率开关元件的性能需求。
IRFR130ATM-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR130ATM-HXY应用领域
暂无应用领域。
