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IRFR130ATM-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRFR130ATM-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为15A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻典型值为100mΩ。 器件在中等电压下具备优良的电流承载能力与低导通损耗特性, 适用于各类开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数组合有助于降低功率转换环节的发热量, 提升系统整体能效, 满足消费电子、通信设备及便携式仪器对功率开关元件的性能需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

IRFR130ATM-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IRFR130ATM-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为15A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻典型值为100mΩ。 器件在中等电压下具备优良的电流承载能力与低导通损耗特性, 适用于各类开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数组合有助于降低功率转换环节的发热量, 提升系统整体能效, 满足消费电子、通信设备及便携式仪器对功率开关元件的性能需求。

IRFR130ATM-HXY特性

暂无产品特性。

IRFR130ATM-HXY应用领域

暂无应用领域。

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