IRFR120NPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR120NPBF-HXY
IRFR120NPbF N沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装， 专为中等电流、100V高电压应用环境设计。 该器件具有高达100V的漏源耐压(VDSS)和10A的连续漏极电流(ID)， 确保在高压电路中稳定可靠工作。 尽管导通电阻RD(on)为140mR， 但凭借出色的电流承载能力和适用范围， 它仍然在电源转换、电机驱动控制、电池管理等领域展现出较高的性价比。 是工程师在设计中考虑性能与成本均衡的优选半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
2,123
货期
现货
IRFR120NPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2123 |
IRFR120NPBF-HXY概述
IRFR120NPbF N沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装， 专为中等电流、100V高电压应用环境设计。 该器件具有高达100V的漏源耐压(VDSS)和10A的连续漏极电流(ID)， 确保在高压电路中稳定可靠工作。 尽管导通电阻RD(on)为140mR， 但凭借出色的电流承载能力和适用范围， 它仍然在电源转换、电机驱动控制、电池管理等领域展现出较高的性价比。 是工程师在设计中考虑性能与成本均衡的优选半导体元件。
IRFR120NPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR120NPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。