IRFR1205TRPBF-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR1205TRPBF-HXY
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 具备60V的漏源电压和30A的最大连续电流， 适用于各类高效电源转换、电机驱动及中高功率开关控制场合。 凭借卓越的性能与稳定性， 为电路设计提供强大动力支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
110
货期
现货
IRFR1205TRPBF-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 110 |
IRFR1205TRPBF-HXY概述
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 具备60V的漏源电压和30A的最大连续电流， 适用于各类高效电源转换、电机驱动及中高功率开关控制场合。 凭借卓越的性能与稳定性， 为电路设计提供强大动力支持。
IRFR1205TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR1205TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。