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IRFR024N-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IRFR024N-HXY

这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:20A电流, 100V电压, 80mR典型内阻, 以及20V的栅源极电压。 它能够确保电路运行的稳定性和高效性, 适用于多种精密电子设备中, 以提升系统性能并保障稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

2,395

货期

现货

IRFR024N-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2395

IRFR024N-HXY概述

这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:20A电流, 100V电压, 80mR典型内阻, 以及20V的栅源极电压。 它能够确保电路运行的稳定性和高效性, 适用于多种精密电子设备中, 以提升系统性能并保障稳定运行。

IRFR024N-HXY特性

暂无产品特性。

IRFR024N-HXY应用领域

暂无应用领域。

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