IRFR024N-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IRFR024N-HXY
这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:20A电流, 100V电压, 80mR典型内阻, 以及20V的栅源极电压。 它能够确保电路运行的稳定性和高效性, 适用于多种精密电子设备中, 以提升系统性能并保障稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
2,395
货期
现货
IRFR024N-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2395 |
IRFR024N-HXY概述
这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:20A电流, 100V电压, 80mR典型内阻, 以及20V的栅源极电压。 它能够确保电路运行的稳定性和高效性, 适用于多种精密电子设备中, 以提升系统性能并保障稳定运行。
IRFR024N-HXY特性
暂无产品特性。
IRFR024N-HXY应用领域
暂无应用领域。
