TO-247
IRFP3206PBF-VB
台积电流片, 长电封测。 TO򘞟 󺺆 𛾾 N沟道; VDS=򑵼 򏟋 V; ID =򘞟 󗙻 𢺫 A; RDS(ON)=򘞟 񄂹 򑵼 mΩ@VGS=󗙻 򏟋 V; RDS(ON)=󺺆 mΩ@VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V; VGS=±򘞟 򏟋 V; Vth=򬓹 񄂹 𢺫 V; 具有高漏极-源极电压、低漏极-源极电阻和高漏极电流等特点, 适用于高功率、高压的应用环境。 它可广泛应用于各种功率电子系统中。
品牌
VBsemi
封装
TO-247
库存
10
货期
现货
IRFP3206PBF-VB参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
IRFP3206PBF-VB概述
台积电流片, 长电封测。 TO򘞟 󺺆 𛾾 N沟道; VDS=򑵼 򏟋 V; ID =򘞟 󗙻 𢺫 A; RDS(ON)=򘞟 񄂹 򑵼 mΩ@VGS=󗙻 򏟋 V; RDS(ON)=󺺆 mΩ@VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V; VGS=±򘞟 򏟋 V; Vth=򬓹 񄂹 𢺫 V; 具有高漏极-源极电压、低漏极-源极电阻和高漏极电流等特点, 适用于高功率、高压的应用环境。 它可广泛应用于各种功率电子系统中。
IRFP3206PBF-VB特性
暂无产品特性。
IRFP3206PBF-VB应用领域
暂无应用领域。