IRFM120ATF
IC
SOT-223
可供量大可议
IRFM120ATF
特性：IEEE802.3af兼容。 雪崩耐用技术。 耐用栅极氧化层技术。 较低的输入电容。 改善的栅极电荷。 扩展的安全工作区。 较低的漏电流：最大10μA， VDS = 100V时。 较低的RDS(ON)：典型值0.155Ω
品牌
onsemi
封装
SOT-223
库存
4
货期
现货
IRFM120ATF参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IRFM120ATF概述
特性：IEEE802.3af兼容。 雪崩耐用技术。 耐用栅极氧化层技术。 较低的输入电容。 改善的栅极电荷。 扩展的安全工作区。 较低的漏电流：最大10μA， VDS = 100V时。 较低的RDS(ON)：典型值0.155Ω
IRFM120ATF特性
暂无产品特性。
IRFM120ATF应用领域
暂无应用领域。