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IRFIBC40GLCPBF-VB
IC

TO-220F

可供量大可议

IRFIBC40GLCPBF-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO220F; N—Channel沟道; 650V; 7A; RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V; VGS=±30V; Vth=3.5V; 采用Planar技术

品牌

VBsemi

封装

TO-220F

库存

5

货期

现货

IRFIBC40GLCPBF-VB参数

封装TO-220F
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

IRFIBC40GLCPBF-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO220F; N—Channel沟道; 650V; 7A; RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V; VGS=±30V; Vth=3.5V; 采用Planar技术

IRFIBC40GLCPBF-VB特性

暂无产品特性。

IRFIBC40GLCPBF-VB应用领域

暂无应用领域。

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