IRFI4212H-117P
IC
TO-220F-5(Forming)
可供量大可议
IRFI4212H-117P
此数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。 它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。 采用最新工艺实现每单位硅面积的低导通电阻。 此外， 对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化， 以改善D类音频放大器的关键性能因素， 如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。 这些特性使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、强大且可靠的器件。
品牌
Infineon
封装
TO-220F-5(Forming)
库存
53
货期
现货
IRFI4212H-117P参数
| 封装 | TO-220F-5(Forming) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 53 |
IRFI4212H-117P概述
此数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。 它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。 采用最新工艺实现每单位硅面积的低导通电阻。 此外， 对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化， 以改善D类音频放大器的关键性能因素， 如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。 这些特性使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、强大且可靠的器件。
IRFI4212H-117P特性
暂无产品特性。
IRFI4212H-117P应用领域
暂无应用领域。