IRFHS8342TR2PBF-VB
IC
QFN-6
可供量大可议
IRFHS8342TR2PBF-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 𮧂 A, RDS(ON), 򘞟 򬓹 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 𛾾 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:QFN𮧂 (򘞟 X򘞟 )场效应管适用于多种对空间、效率与可靠性有要求的电子系统, 如便携式/紧凑型设备中的负载开关、高频DC-DC转换器、电源管理等场景。
品牌
VBsemi
封装
QFN-6
库存
20
货期
现货
IRFHS8342TR2PBF-VB参数
| 封装 | QFN-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
IRFHS8342TR2PBF-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 𮧂 A, RDS(ON), 򘞟 򬓹 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 𛾾 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:QFN𮧂 (򘞟 X򘞟 )场效应管适用于多种对空间、效率与可靠性有要求的电子系统, 如便携式/紧凑型设备中的负载开关、高频DC-DC转换器、电源管理等场景。
IRFHS8342TR2PBF-VB特性
暂无产品特性。
IRFHS8342TR2PBF-VB应用领域
暂无应用领域。