IRFHM8363TRPBF
IC
PQFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
IRFHM8363TRPBF
特性：对印刷电路板的低热阻 (< 6.7℃/W)。 低剖面 (< 1.0mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准， 无铅、无溴和无卤素。 MSL1， 工业认证。 应用：高频降压转换器的功率级。 电池保护充放电开关
品牌
Infineon
封装
PQFN-8(3.3x3.3)
库存
4
货期
现货
IRFHM8363TRPBF参数
| 封装 | PQFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IRFHM8363TRPBF概述
特性：对印刷电路板的低热阻 (< 6.7℃/W)。 低剖面 (< 1.0mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准， 无铅、无溴和无卤素。 MSL1， 工业认证。 应用：高频降压转换器的功率级。 电池保护充放电开关
IRFHM8363TRPBF特性
暂无产品特性。
IRFHM8363TRPBF应用领域
暂无应用领域。