IRFHM8330TRPBF-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
IRFHM8330TRPBF-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在高电流应用中显著降低功率损耗， 提升系统效率。 适用于中低压电源转换、电池供电设备、电机驱动及各类高效开关电路， 在要求高可靠性和良好热性能的电子系统中可实现稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
15
货期
现货
IRFHM8330TRPBF-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
IRFHM8330TRPBF-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在高电流应用中显著降低功率损耗， 提升系统效率。 适用于中低压电源转换、电池供电设备、电机驱动及各类高效开关电路， 在要求高可靠性和良好热性能的电子系统中可实现稳定运行。
IRFHM8330TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFHM8330TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。