IRFHM831TRPBF-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为6毫欧， 最大栅源电压（VGS）为20V。 低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高频开关场景， 如电源转换、电机控制及各类高效能电子设备中的功率管理模块， 在紧凑型设计中可有效支持高电流密度与良好热性能的实现。