IRFHM830DTRPBF-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
IRFHM830DTRPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高性能、高可靠性的电子系统， 如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 30V； 60A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=0.5~1.5V
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
库存
3
货期
现货
IRFHM830DTRPBF-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
IRFHM830DTRPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高性能、高可靠性的电子系统， 如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 30V； 60A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=0.5~1.5V
IRFHM830DTRPBF-VB特性
暂无产品特性。
IRFHM830DTRPBF-VB应用领域
暂无应用领域。