IRFH8330TRPBF-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IRFH8330TRPBF-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5.7mΩ。 凭借极低的导通阻抗， 器件在大电流工作条件下能有效降低功率损耗与温升， 适用于高效率电源转换、电池管理及负载开关等应用。 其电气特性支持快速开关动作， 在紧凑型电子系统中可实现良好的热性能与稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
85
货期
现货
IRFH8330TRPBF-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
IRFH8330TRPBF-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5.7mΩ。 凭借极低的导通阻抗， 器件在大电流工作条件下能有效降低功率损耗与温升， 适用于高效率电源转换、电池管理及负载开关等应用。 其电气特性支持快速开关动作， 在紧凑型电子系统中可实现良好的热性能与稳定运行。
IRFH8330TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFH8330TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。