IRFH8325TRPBF-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IRFH8325TRPBF-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.3毫欧。 其极低的导通电阻有效减小了导通状态下的功率损耗， 适用于高效率电源管理、大电流开关及电机驱动等应用。 器件具备良好的热稳定性和快速开关特性， 适合在紧凑型、高功率密度的电子系统中使用。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
IRFH8325TRPBF-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
IRFH8325TRPBF-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.3毫欧。 其极低的导通电阻有效减小了导通状态下的功率损耗， 适用于高效率电源管理、大电流开关及电机驱动等应用。 器件具备良好的热稳定性和快速开关特性， 适合在紧凑型、高功率密度的电子系统中使用。
IRFH8325TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFH8325TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。