IRFH7085TRPBF-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有125A的持续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 支持高功率密度设计。 导通电阻（RDON）低至2.4mΩ， 可显著减少导通损耗， 提高系统效率。 器件适用于开关电源、电机控制、电池管理及同步整流等应用， 在高频与高电流工作条件下表现出良好的稳定性和可靠性， 满足多种高性能电子设备的设计需求。