IRFH6200TRPBF
IC
PQFN-8(5x6)
可供量大可议
IRFH6200TRPBF
场效应管(MOSFET) 3.6W； 156W 20V 49A； 100A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
PQFN-8(5x6)
库存
13,014
货期
现货
IRFH6200TRPBF参数
| 封装 | PQFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.99mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 输入电容(Ciss) | 10.89nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 2.89nF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,014 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 2.18nF |
| 类型 | N沟道 |
IRFH6200TRPBF概述
场效应管(MOSFET) 3.6W； 156W 20V 49A； 100A 1个N沟道
IRFH6200TRPBF特性
暂无产品特性。
IRFH6200TRPBF应用领域
暂无应用领域。