IRFH5306TRPBF-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
IRFH5306TRPBF-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于减小导通损耗， 提高系统效率。 该器件适用于对能效和热管理有较高要求的电源管理应用， 如开关电源、电池供电设备及高密度功率转换模块， 在频繁开关操作中可保持稳定可靠的电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
90
货期
现货
IRFH5306TRPBF-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
IRFH5306TRPBF-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于减小导通损耗， 提高系统效率。 该器件适用于对能效和热管理有较高要求的电源管理应用， 如开关电源、电池供电设备及高密度功率转换模块， 在频繁开关操作中可保持稳定可靠的电气性能。
IRFH5306TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRFH5306TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。