IRFH5006TRPBF-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧。 凭借高电流处理能力和极低的导通损耗， 适用于高效率电源转换、大电流开关及功率调节等应用场景。 其电气特性有助于在紧凑型电路设计中实现良好的热性能与系统稳定性。