IRFBG30PBF
IC
TO-220
可供量大可议
IRFBG30PBF
场效应管(MOSFET) 125W 1kV 3.1A 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
TO-220
库存
46,190
货期
现货
IRFBG30PBF参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 980pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46,190 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 类型 | N沟道 |
IRFBG30PBF概述
场效应管(MOSFET) 125W 1kV 3.1A 1个N沟道
IRFBG30PBF特性
暂无产品特性。
IRFBG30PBF应用领域
暂无应用领域。