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IRFBG20PBF
自营可供
IC

TO-220AB

IRFBG20PBF

场效应管(MOSFET) 54W 1kV 1.4A 1个N沟道

品牌

VISHAY

封装

TO-220AB

交期

现货

批次

两年内

IRFBG20PBF参数

封装TO-220AB
品牌VISHAY(威世)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))11Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)500pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存15,715
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)1kV
耗散功率(Pd)54W
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
反向传输电容(Crss)17pF

IRFBG20PBF概述

场效应管(MOSFET) 54W 1kV 1.4A 1个N沟道

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