IRFBF20STRLPBF
自营可供
IC
TO-263
IRFBF20STRLPBF
场效应管(MOSFET) 3.1W； 54W 900V 1.7A 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
TO-263
交期
现货
批次
两年内
IRFBF20STRLPBF参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 490pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6,486 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 900V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF |
| 类型 | N沟道 |
IRFBF20STRLPBF概述
场效应管(MOSFET) 3.1W； 54W 900V 1.7A 1个N沟道