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IRFBC20PBF
IC

TO-220AB-3

可供量大可议

IRFBC20PBF

场效应管(MOSFET) 50W 600V 2.2A 1个N沟道

品牌

VISHAY

封装

TO-220AB-3

库存

11,710

货期

现货

IRFBC20PBF参数

封装TO-220AB-3
品牌VISHAY(威世)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))4.4Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)350pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)48pF
分类场效应管(MOSFET)
库存11,710
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)600V
耗散功率(Pd)50W
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
反向传输电容(Crss)8.6pF
类型N沟道

IRFBC20PBF概述

场效应管(MOSFET) 50W 600V 2.2A 1个N沟道

IRFBC20PBF特性

暂无产品特性。

IRFBC20PBF应用领域

暂无应用领域。

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